При изготовлении нового варианта графенового транзистора ученым из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе удалось довести частоту корректного функционирования устройства до 300 ГГц. Такие характеристики демонстрирует устройство с длиной канала (расстоянием от стока до истока) в 140 нм. Транзисторы на основе дорогих полупроводниковых материалов — фосфида индия или арсенида галлия — имеют аналогичные характеристики, а лучшие образцы кремниевых полевых МОП-транзисторов сравнимых размеров по граничной частоте уступают графеновому конкуренту примерно в два раза. Авторы модифицировали существующую технологию, сформировав затвор транзистора с помощью нанопровода из силицида кобальта Co2Si с тонкой изолирующей оболочкой из оксида алюминия. Эта структура помещалась на графеновый лист, после чего часть оксидного слоя снималась, чтобы обеспечить контакт между проводящей сердцевиной и тонкими слоями золота и титана, которые покрывали один конец провода. Полученный результат вполне соответствует тому, что достигается применен...
